Наименование прибора: HYG055N08NS1B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 187.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 60 nC

Время нарастания (tr): 89 ns

Выходная емкость (Cd): 1540 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0068 Ohm